China presentó un dispositivo de memoria flash del tamaño de un grano de arroz, que borra y reescribe datos en 400 picosegundos, un intervalo en que la luz tan solo recorre unos 12 centímetros.
Un equipo de la Universidad de Fudan, en la ciudad de Shanghái, denominó ‘Poxiao’ al dispositivo que fue develado en la revista científica Nature.
“El objetivo es escalar la tecnología hasta alcanzar decenas de megabytes en un plazo de cinco años y contar con licencias comerciales”, mencionó el equipo.
Se trata del más veloz diseñado hasta la fecha, superando la rapidez de los sistemas convencionales de este tipo.
Con una velocidad de operación equivalente a 2 mil 500 millones de ciclos por segundo, el nuevo dispositivo ofrece una velocidad 100 mil veces superior, frente a las decenas de microsegundos que requiere una memoria flash convencional.
La memoria flash es un sistema de almacenamiento digital no volátil basado en semiconductores: emplea chips de silicio sin partes móviles para retener datos incluso cuando el dispositivo está apagado.
A diferencia de los discos duros magnéticos, las memorias flash -como las unidades USB- ofrecen accesos mucho más rápidos, menor consumo energético y mayor resistencia a golpes.
‘Poxiao’ abre la posibilidad de equiparar las velocidades de cálculo y almacenamiento en un único semiconductor, un paso decisivo para reducir la latencia en aplicaciones de inteligencia artificial (IA) y optimizar el consumo energético de centros de datos, uno de los desafíos que traen de cabeza al sector de la IA.
¿Cómo funciona?
La innovación de ‘Poxiao’ radica en un mecanismo capaz de transferir electrones directamente a un estado de alta energía sin pasar por procesos previos de calentamiento.
Según los autores, esta estrategia supera los límites teóricos de la física de semiconductores clásica y redefine las fronteras de las tecnologías de almacenamiento actuales.
Las memorias flash emplean transistores que retienen carga eléctrica para conservar la información sin suministro de energía, a diferencia de la SRAM (memoria estática de acceso aleatorio) y la DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio), que son volátiles y pierden los datos tras un corte de corriente.
Los prototipos de ‘Poxiao’, con capacidad de apenas kilobytes, resultan suficientes para validar el concepto. De acuerdo con la universidad, estos primeros chips ya han entrado en fase de producción a pequeña escala, lo que permite evaluar su rendimiento en entornos industriales y ajustar los procesos de fabricación para futuras ampliaciones.